奇码笔试题目（Physical Design）

一，填空

1，集成电路的分类，按材料，工艺

2，集成电阻的计算，以及其制造工艺

3，Vtp，Vtn的正负判断，分别对于增强型和耗尽型

4，CMOS电路功耗包括哪两个部分，功耗设计主要考虑的因素

……（还有几道不记得了）

二，填表

全定制，门阵列，FPGA各自单元模块，连线的性质……

三，填图

CMOS工艺流程填图画图

四，问答

1，CMOS单元负载较大的电容时，只有提高W，这样会使W*L增加，相对前级又时一个大电

容，如何解决这一矛盾？

2，结合软件谈谈全定制集成电路设计流程

3，谈谈对Layout设计的看法

五，翻版图或者画版图，选一

第二卷

1，什么时格雷码？

2，Nyquist采样定例

3，球一米高落下，每次探起一半，求路程和重力做功

4，运算放大器1，…………2，有几级，各级之间耦合方式有几种，分析各种的优劣。